突破性進(jìn)展!三星400層NAND閃存開發(fā)完成:最快2025年二季度末量產(chǎn)
[知識(shí)] 時(shí)間:2024-12-23 08:23:17 來源:下愚不移網(wǎng) 作者:休閑 點(diǎn)擊:168次
12月9日消息,突破據(jù)媒體報(bào)道,性進(jìn)三星已成功開發(fā)出突破性的展星400層堆疊NAND Flash閃存技術(shù),并已開始將該技術(shù)轉(zhuǎn)移到大規(guī)模生產(chǎn)線。層N存開成最產(chǎn)
這一進(jìn)展有望超越前不久已宣布量產(chǎn)321層NAND Flash的發(fā)完SK海力士。
三星計(jì)劃在2025年國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議(ISSCC)上詳細(xì)介紹其1Tb容量400層堆疊TLC NAND Flash閃存,快年并預(yù)計(jì)于2025年下半年開始量產(chǎn)。季度
市場(chǎng)專家預(yù)測(cè),末量如果進(jìn)程加快,突破量產(chǎn)可能會(huì)在2025年第二季度末開始。性進(jìn)
除了400層NAND Flash閃存,展星三星還計(jì)劃增加其先進(jìn)內(nèi)存產(chǎn)品線的層N存開成最產(chǎn)產(chǎn)量,包括在平澤園區(qū)安裝新第9代(286層堆疊)NAND Flash閃存生產(chǎn)設(shè)施,發(fā)完月產(chǎn)能為30000至40000片晶圓??炷?/p>
以及在中國(guó)西安工廠將128層堆疊(V6)NAND Flash閃存生產(chǎn)線轉(zhuǎn)換為236層堆疊(V8)NAND Flash閃存產(chǎn)品制程。季度
目前,三星在全球NAND Flash閃存市場(chǎng)市占率為36.9%,面對(duì)SK海力士的競(jìng)爭(zhēng),三星的這一突破顯得尤為重要。
(責(zé)任編輯:休閑)
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