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接口速度5.6 GT/s、超400層!三星將推出第10代V

下愚不移網(wǎng)2024-12-23 08:55:35【焦點(diǎn)】4人已圍觀

簡(jiǎn)介12月5日消息,據(jù)媒體報(bào)道,三星即將在國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議ISSCC)上展示其最新的第10代超過(guò)400層3D NAND Flash,接口速度可達(dá)5.6 GT/s。三星的這一新一代V-NAND保持了TLC三

12月5日消息,接口將推據(jù)媒體報(bào)道,速度三星即將在國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議(ISSCC)上展示其最新的超層星出第第10代超過(guò)400層3D NAND Flash,接口速度可達(dá)5.6 GT/s。接口將推

三星的速度這一新一代V-NAND保持了TLC(三級(jí)單元,或每個(gè)單元3位)架構(gòu),超層星出第每個(gè)芯片的接口將推容量為1Tb(128GB)。

接口速度5.6 GT/s、超400層!三星將推出第10代V

三星聲稱,速度其新的超層星出第超400層3D TLC NAND Flash的存儲(chǔ)密度達(dá)到了28 Gb/mm²,略低于其1Tb 3D QLC V-NAND的接口將推28.5 Gb/mm²,后者是速度目前世界上存儲(chǔ)密度最高的NAND Flash。

此外,超層星出第三星第10代V-NAND的接口將推接口速度達(dá)到5.6 GT/s,明顯快于長(zhǎng)江存儲(chǔ)的速度3.6 GT/s。

在5.6 GT/s的超層星出第速度下,相當(dāng)于約700 MB/s的數(shù)據(jù)傳輸速率,意味著其中10個(gè)設(shè)備可以使PCIe4.0 x4接口飽和,而20個(gè)足以使超快的PCIe5.0x4接口飽和。

三星計(jì)劃在ISSCC 10上推出第10代V-NAND,因此很可能在明年開始批量生產(chǎn)這種NAND Flash,只是尚不清楚新何時(shí)會(huì)進(jìn)入三星自己的SSD。

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