本月15日，資料最早美國商務部最終敲定了臺積電（TSMC）在亞利桑那州新建Fab 21項目的顯示款項，授予高達66億美元的臺積投產直接撥款，以支持整個園區(qū)大概650億美元的電美建設支出，其中將興建三間晶圓廠。國工工藝整個項目將創(chuàng)造6000多個直接制造工作崗位，引入于年以及超過20000個累計的資料最早建筑工作崗位。

據(jù)報道，顯示臺積電向美國商務部提交的臺積投產信息顯示，最早于2028年在美國開始生產2nm芯片。電美根據(jù)Fab 21項目制程工藝路線安排，國工工藝將引入A16和N2系列（N2、引入于年N2P和N2X）工藝，資料最早均屬于2nm制程節(jié)點，顯示量產啟動時間比起中國臺灣的臺積投產晶圓廠要晚大概三年。

Fab 21一期工程初期投入120億美元，選擇了4/5nm工藝的生產線，已進行了試產，計劃在2025年上半年投產;二期工程原計劃選擇3nm工藝的生產線，現(xiàn)在將推進至2nm工藝，預計在2028年投產，前兩期工程加起來的總產能為每月5萬片晶圓;新增三期工程將采用2nm或更先進的制程技術，預計2030年之前投產。

臺積電在2nm制程節(jié)點將引入GAA晶體管架構，有望顯著降低功耗，提高性能和晶體管密度，帶來質的改變。按照臺積電之前的說法，臺積電只有在大規(guī)模量產后，才會考慮遷移到下一個制程節(jié)點，而且新一代半導體工藝的研究會在中國臺灣展開，以保持半導體技術上的領先地位。

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