今年9月，片需臺積電（TSMC）從ASML手上接收了其首臺High-NA EUV光刻機，求刺移送至自己的激臺積電加速全球研發(fā)中心進行研究，以滿足A14等未來先進工藝的片需開發(fā)需求。傳聞臺積電董事長兼首席執(zhí)行官魏哲家親自與ASML談判并達成了一項協(xié)議，求刺通過購買新設備和出售舊型號相結合的激臺積電加速方式，將整體價格降低了近20%。片需

據(jù)報道，求刺近期臺積電3nm產能需求旺盛，激臺積電加速大量客戶下單使得產能處于滿載狀態(tài)，片需同時即將到來的求刺2nm工藝也受到了客戶的歡迎，臺積電正在考慮繼續(xù)擴大2nm產能，激臺積電加速滿足以AI芯片為首的片需增長需求。隨著客戶進一步推動人工智能業(yè)務發(fā)展，求刺在市場需求刺激下，激臺積電加速臺積電也加快了High-NA EUV光刻機的部署，以便更早地熟悉新技術。

根據(jù)臺積電的路線圖，High-NA EUV光刻機將集成到A14 工藝，預計2027年進入量產階段。在此之前，需要進行廣泛的測試、微調和流程優(yōu)化，用于1nm階段的制程工藝中。隨著半導體制造工藝日益復雜，成本也隨著每個制程節(jié)點的開發(fā)推進而上漲，每臺High-NA EUV光刻機的價格高達3.84億美元。盡管如此，臺積電在技術上的領先有望吸引更多尋找先進芯片制造能力的高端客戶。

有分析師表示，加快High-NA EUV技術的開發(fā)可能會擴大臺積電與競爭對手之間的差距，尤其是三星。臺積電在2019年推出了N7+工藝，首次使用了EUV光刻機，當時大概有10臺。臺積電接下來迅速擴大了EUV光刻技術的應用，也購買了更多的設備，EUV光刻機的銷量從2019年至2023年增長了10倍，而臺積電占據(jù)了其中56%的裝機量。

臺積電在將新技術集成到大批量生產之前，會根據(jù)新技術的成熟度、成本和潛在客戶利益進行仔細評估。這是一種系統(tǒng)化，并以客戶為中心的方法，到了High-NA EUV時代也會如此。