12月5日消息，接口將推據(jù)媒體報(bào)道，速度三星即將在國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議（ISSCC）上展示其最新的超層星出第第10代超過400層3D NAND Flash，接口速度可達(dá)5.6 GT/s。接口將推
三星的速度這一新一代V-NAND保持了TLC（三級(jí)單元，或每個(gè)單元3位）架構(gòu)，超層星出第每個(gè)芯片的接口將推容量為1Tb（128GB）。
三星聲稱，速度其新的超層星出第超400層3D TLC NAND Flash的存儲(chǔ)密度達(dá)到了28 Gb/mm²，略低于其1Tb 3D QLC V-NAND的接口將推28.5 Gb/mm²，后者是速度目前世界上存儲(chǔ)密度最高的NAND Flash。
此外，超層星出第三星第10代V-NAND的接口將推接口速度達(dá)到5.6 GT/s，明顯快于長(zhǎng)江存儲(chǔ)的速度3.6 GT/s。
在5.6 GT/s的超層星出第速度下，相當(dāng)于約700 MB/s的數(shù)據(jù)傳輸速率，意味著其中10個(gè)設(shè)備可以使PCIe4.0 x4接口飽和，而20個(gè)足以使超快的PCIe5.0x4接口飽和。
三星計(jì)劃在ISSCC 10上推出第10代V-NAND，因此很可能在明年開始批量生產(chǎn)這種NAND Flash，只是尚不清楚新何時(shí)會(huì)進(jìn)入三星自己的SSD。
作者:時(shí)尚
