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華為新專利公開!攻克硅基負(fù)極電池體積膨脹難題

時間:2024-12-23 07:20:57 出處:熱點(diǎn)閱讀(143)

11月16日消息,新專日前,開攻克硅華為一項(xiàng)全新的基負(fù)極電積膨硅基負(fù)極材料專利公開,名稱為《硅基負(fù)極材料及其制備方法、池體電池和終端》。脹難

該專利主要解決了硅基材料因膨脹效應(yīng)過大導(dǎo)致電池循環(huán)性能低的新專問題,提高負(fù)極的開攻克硅循環(huán)穩(wěn)定性。

華為新專利公開!攻克硅基負(fù)極電池體積膨脹難題

專利顯示,基負(fù)極電積膨采用該發(fā)明實(shí)施硅基負(fù)極材料制備的池體電池相對現(xiàn)有傳統(tǒng)硅氧/碳復(fù)合負(fù)極材料制備的電池,其循環(huán)性能得到明顯提升,脹難充滿電狀態(tài)時電極片的新專膨脹率明顯降低,循環(huán)600次后電芯的開攻克硅膨脹率明顯降低。

這是基負(fù)極電積膨由于其硅基負(fù)極材料通過使高硅氧比硅基顆粒分散在低硅氧比硅基基體中,實(shí)現(xiàn)了不同硅氧濃度限域分布,池體所得硅基負(fù)極材料兼顧高容量和高循環(huán)穩(wěn)定性。脹難

此外,高硅氧比硅基顆粒表面導(dǎo)電層的設(shè)置可以提高高硅氧比硅基顆粒的電導(dǎo)率,提高含硅基體和硅基顆粒兩種不同硅氧比結(jié)構(gòu)間的界面電導(dǎo)率。

同時可以在高硅氧比硅基顆粒表面形成限制層,有效降低脫嵌鋰造成的體積膨脹。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了該硅基負(fù)極材料的制備方法、以及包含該硅基負(fù)極材料的電池和終端。

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