臺(tái)積電2nm良率提高6%:可為客戶節(jié)省數(shù)十億美元
時(shí)間:2024-12-23 08:45:29 出處:百科閱讀(143)
臺(tái)積電將于明年下半年開始量產(chǎn)其2nm(N2)制程工藝,臺(tái)積目前臺(tái)積電正在盡最大努力完善該技術(shù),良率提以降低可變性和缺陷密度,為客從而提高良率。戶節(jié)
一位臺(tái)積電員工最近對(duì)外透露,省數(shù)該團(tuán)隊(duì)已成功將N2測(cè)試芯片的億美元良率提高了6%,為公司客戶“節(jié)省了數(shù)十億美元”。臺(tái)積
這位自稱 Kim 博士的良率提臺(tái)積電員工沒有透露該代工廠是否提高了 SRAM 測(cè)試芯片或邏輯測(cè)試芯片的良率。
需要指出的為客是,臺(tái)積電在今年1月份才開始提供 2nm 技術(shù)的戶節(jié)穿梭測(cè)試晶圓服務(wù),因此其不太可能提高之前最終將以 2nm 制造的省數(shù)實(shí)際芯片原型的良率,所以應(yīng)該是億美元指目前最新的2nm技術(shù)的良率改進(jìn)。
提高 SRAM 和邏輯測(cè)試芯片的臺(tái)積良率確實(shí)非常重要,因?yàn)樗梢詾榭蛻艄?jié)省大量成本。良率提
臺(tái)積電的為客 N2 將是該公司首個(gè)使用全環(huán)繞柵極 (GAA) 納米片晶體管的制程工藝,有望大幅降低功耗、提高性能和晶體管密度。
臺(tái)積電的GAA納米片晶體管不僅比 3nm FinFET 晶體管小,而且通過提供改進(jìn)的靜電控制和減少泄漏而不影響性能,它們實(shí)現(xiàn)了更小的高密度 SRAM 位單元。
其設(shè)計(jì)增強(qiáng)了閾值電壓調(diào)諧,確??煽窟\(yùn)行,并允許邏輯晶體管和 SRAM 單元進(jìn)一步小型化。然而,臺(tái)積電將不得不學(xué)習(xí)如何生產(chǎn)具有可觀良率的全新晶體管。
與在 N3E 制造節(jié)點(diǎn)上制造的芯片相比,在相同的晶體管數(shù)量和頻率下,使用 N2 制造技術(shù)制造的芯片的功耗預(yù)計(jì)會(huì)減少 25% 到 30%,在相同的晶體管數(shù)量和功率下,性能會(huì)提高 10% 到 15%,晶體管密度會(huì)增加 15%。
臺(tái)積電預(yù)計(jì)將于 2025 年下半年(可能在 2025 年底)開始大規(guī)模量產(chǎn)其N2制程。為此,臺(tái)積電應(yīng)該有足夠的時(shí)間來提高良率和降低缺陷密度。
△原推文已無法查看,原發(fā)帖賬號(hào)似乎也已注銷,僅相關(guān)評(píng)論還在
猜你喜歡
- 難受,10人拜仁德國杯落后,看臺(tái)觀戰(zhàn)的凱恩表情凝重
- 被稱“大師”!莫德里奇:我喜歡這稱號(hào),簽皇馬是最幸福日子之一
- 每體:不滿判罰,維尼修斯在巴西1
- 歸化vs旅歐班!印尼9歸化首發(fā)戰(zhàn)日本,日本首發(fā)11人均為旅歐球員
- 含狂犬病毒等:澳大利亞一實(shí)驗(yàn)室323瓶活病毒下落不明
- [流言板]雄鹿23號(hào)秀AJ
- 一天把玉帛和書都找完了,感慨下
- [流言板]波杰姆斯基半場(chǎng)6中1得到2分4籃板4助攻,但正負(fù)值高達(dá)+24
- 禁區(qū)內(nèi)一停一射!霍伊倫對(duì)博德閃耀進(jìn)球當(dāng)選曼聯(lián)11月最佳進(jìn)球