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曾狂言華為不可能追上!臺(tái)積電年底將引進(jìn)High NA EUV光刻機(jī):25億元/臺(tái)

2024-12-23 07:54:50 [焦點(diǎn)] 來(lái)源:下愚不移網(wǎng)

11月3日消息,曾狂追上據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道稱,言華引進(jìn)億元臺(tái)積電將于今年年底從荷蘭供應(yīng)商ASML接收首批全球最先進(jìn)的可能刻機(jī)芯片制造機(jī)器,僅比美國(guó)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手英特爾晚幾個(gè)月。臺(tái)積臺(tái)

高數(shù)值孔徑極紫外(High NA EUV)光刻機(jī)是電年底世界上最昂貴的芯片制造設(shè)備,每臺(tái)的曾狂追上價(jià)格約為3.5億美元(約合25億元/臺(tái))。

曾狂言華為不可能追上!臺(tái)積電年底將引進(jìn)High NA EUV光刻機(jī):25億元/臺(tái)

按照消息人士的言華引進(jìn)億元說(shuō)法,臺(tái)積電將在本季度在其位于中國(guó)臺(tái)灣新竹總部附近的可能刻機(jī)研發(fā)中心安裝新的High NA EUV光刻機(jī)。

該公司表示:“臺(tái)積電仔細(xì)評(píng)估了新晶體管結(jié)構(gòu)和新工具等技術(shù)創(chuàng)新,臺(tái)積臺(tái)并在將其投入批量生產(chǎn)之前,電年底考慮了它們的曾狂追上成熟度、成本和對(duì)客戶的言華引進(jìn)億元好處。臺(tái)積電計(jì)劃首先引進(jìn)High NA EUV光刻機(jī)用于研發(fā),可能刻機(jī)以開(kāi)發(fā)客戶推動(dòng)創(chuàng)新所需的臺(tái)積臺(tái)相關(guān)基礎(chǔ)設(shè)施和模式解決方案。”

在這之前,電年底臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音公開(kāi)表示,華為不可能追上臺(tái)積電。

有股東發(fā)言提及近華為發(fā)展晶圓代工相當(dāng)積極,向臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音請(qǐng)教如何評(píng)斷,劉德音表示,臺(tái)積電著重是自己發(fā)展的速度夠不夠快,臺(tái)積電永遠(yuǎn)有競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。

“至于華為會(huì)不會(huì)超越臺(tái)積電,本來(lái)他想請(qǐng)總裁魏哲家回答,后來(lái)就直接說(shuō),總裁也不用回答了,因?yàn)榈静豢赡堋?rdquo;劉德音說(shuō)道。

此言一出,也是引起了行業(yè)專家的吐槽,有人甚至放話,如果沒(méi)有先進(jìn)光刻機(jī),你們恐怕什么也不是。

(責(zé)任編輯:時(shí)尚)

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