說(shuō)起PCIe5.0固態(tài)硬盤，中高中相信大家都會(huì)想到那些讀寫破萬(wàn)兆、比猛佩戴夸張散熱片的將星高性能產(chǎn)品。

但實(shí)際上，態(tài)硬這些產(chǎn)品僅僅是盤上廠家在“秀肌肉”而已，而且消費(fèi)群體也不是中高中普通用戶，因此PCIe4.0仍是比猛市場(chǎng)的絕對(duì)主力。

今年1月三星推出“雙模”產(chǎn)品990 EVO，將星為PCIe5.0應(yīng)用提供了全新的態(tài)硬思路，而9月份推出煥新升級(jí)版990 EVO Plus，盤上性能得到大幅提升，中高中為提升生產(chǎn)力的比猛帶來(lái)全新選擇。

熟悉三星存儲(chǔ)產(chǎn)品的將星同學(xué)都知道，Plus的態(tài)硬定位是升級(jí)款產(chǎn)品，并沒(méi)有超越系列的盤上范疇。但這次的升級(jí)間隔僅有8個(gè)月，可見三星顯然已經(jīng)不滿足小幅度的性能提升，而是通過(guò)半導(dǎo)體技術(shù)的革新，來(lái)尋求同系列的突破。

實(shí)際上這次的“Plus”帶來(lái)的驚喜也確實(shí)有點(diǎn)猛，當(dāng)然PCIe5.0和PCIe4.0雙平臺(tái)兼容也被繼承了下來(lái)。

我們先看一下這款產(chǎn)品的亮點(diǎn)（以2TB為例）

1、支持PCIe4.0x4和PCIe5.0x2雙模式；

2、配備三星第八代V-NAND TLC原廠閃存顆粒；

3、配備三星5nm工藝制程自研主控芯片，采用鍍鎳涂層；

4、最高順序讀寫速度高達(dá)7250MB/s和6300MB/s；

5、最高隨機(jī)讀寫性能達(dá)到1050K IOPS和1400K IOPS；

6、Intelligent TurboWrite2.0技術(shù)，大幅提升了SLC緩存空間，2TB最高可達(dá)226GB；

7、電源效率比三星990 EVO固態(tài)硬盤提升73%。

外觀一覽

三星990 EVO Plus采用和990 EVO完全相同的外包裝設(shè)計(jì)，依然是清爽的藍(lán)色主視覺，搭配產(chǎn)品圖片和大字體的型號(hào)標(biāo)識(shí)，只是產(chǎn)品型號(hào)從EVO變成了EVO Plus，可見本次升級(jí)還是比較低調(diào)的。右下方的標(biāo)簽標(biāo)識(shí)了產(chǎn)品的讀取速度和容量。

三星990 EVO Plus采用黑色的PCB，但正面的散熱標(biāo)簽比990 EVO稍小一些，這是為了照顧到單顆NAND芯片版本的美觀，設(shè)計(jì)風(fēng)格也稍有變化，最左側(cè)是產(chǎn)品的型號(hào)，中間部分是S/N編碼等信息，最右側(cè)是產(chǎn)品的容量和三個(gè)二維碼。標(biāo)簽還注明了工作的電壓電流，最高理論功耗僅為6.27W，對(duì)于筆記本的電池續(xù)航非常友好。

三星990 EVO Plus采用單面元器件方案，降低發(fā)熱的同時(shí)也提升了對(duì)于筆記本等緊湊型產(chǎn)品的兼容性，背面大面積的敷銅線路不僅有效提升了抗干擾性能，而且提升了傳熱效果，NAND FLASH芯片的位置同樣貼有銅箔散熱片，進(jìn)一步提升散熱效率。

揭開正面的標(biāo)簽，可見元器件布局也與990 EVO基本相同，依然是DRAMLess無(wú)外置緩存設(shè)計(jì)，主要部件為主控芯片和一顆NAND FLASH存儲(chǔ)芯片，主控旁邊的黑色小芯片是電源管理芯片，旁邊圍繞著大量的貼片電容電阻元器件。

5nm制造工藝的主控芯片型號(hào)與990 EVO相同，但表面采用創(chuàng)新的鍍鎳設(shè)計(jì)，進(jìn)一步提升了散熱效率，加上內(nèi)置的三星動(dòng)態(tài)散熱保護(hù)機(jī)制（DTG），最大限度減少過(guò)熱的情況。

同時(shí)，這顆主控依然支持PCIe4.0x4和PCIe5.0x2兩種傳輸模式，可根據(jù)M.2插槽支持的PCIe版本自動(dòng)切換，尤其是運(yùn)行在PCIe5.0x2模式，關(guān)閉兩條PCIe通道會(huì)降低功耗，更省電、發(fā)熱量更低。

核心元件升級(jí)到了三星最新的第八代V-NAND TLC原廠閃存芯片，236層堆疊大幅提升了存儲(chǔ)密度，例如我們測(cè)試的這款使用了單顆就可達(dá)到2TB，旁邊的焊盤再加焊一顆就可達(dá)到4TB容量。

除此之外，閃存的I/O接口帶寬也提升至2400MT/s，這也是990 EVO Plus最高讀寫速率達(dá)到7250MB/s和6300MB/s，以及隨機(jī)性能高達(dá)1050K IOPS和1400K IOPS的關(guān)鍵，同時(shí)功耗也降低16%。

基準(zhǔn)性能測(cè)試

作為三星990 EVO的升級(jí)版，990 EVO Plus不僅在讀寫性能方面進(jìn)行大提速，還延續(xù)了PCIe4.0x4+PCIe5.0x2“雙模”設(shè)計(jì)，因此同樣具備低功耗優(yōu)勢(shì)。

基準(zhǔn)測(cè)試，我們從順序讀寫性能、隨機(jī)性能和SLC Cache三個(gè)維度展開。下面是我們本次的測(cè)試平臺(tái)。

由于AMD X670E主板的M.2插槽支持PCIe版本切換，所以在BIOS中就能限定運(yùn)行在5.0或4.0模式。Crystal Disk info顯示990 EVO Plus支持PCIe4.0x4和PCIe5.0x2，在24℃室溫下通電15分鐘，閑時(shí)溫度分別為50℃和48℃，可見在PCIe5.0x2模式會(huì)有更低的發(fā)熱量。

由于PCIe4.0x4帶寬與PCIe5.0x2一致，因此三星990 EVO Plus在這兩種模式下順序讀寫性能也是基本相同的。經(jīng)CrystalDiskMark實(shí)測(cè)，2TB容量在PCIe5.0x2模式最高順序讀寫速度為7216.91MB/s和6105.87MB/s，在PCIe4.0x4模式為7208.85MB/s和6055.98MB/s。

用于對(duì)比的TxBench測(cè)試結(jié)果顯示，三星990EVOPlus在PCIe5.0x2模式最高順序讀寫速度為7212.982MB/s和6209.903MB/s，PCIe4.0x4模式則為7185.815MB/s和6198.875MB/s，與Crystal Disk Mark接近。隨機(jī)性能采用Crystal Disk Mark的成績(jī)，讀寫分別達(dá)到了1052K IOPS和1368K IOPS，大幅超越990 EVO，幾乎可與配備DRAM的固態(tài)硬盤產(chǎn)品相媲美，在進(jìn)行大型游戲、專業(yè)剪輯等重度任務(wù)時(shí)，可進(jìn)一步提升大量細(xì)碎文件的加載效率。

進(jìn)階性能測(cè)試

為了進(jìn)一步探索三星990 EVO Plus的SLC緩存機(jī)制和隨機(jī)性能，接下使用專業(yè)的存儲(chǔ)測(cè)試軟件IOmeter展開進(jìn)一步測(cè)試，并記錄每秒的速度變化生成圖表，每輪測(cè)試時(shí)間為40分鐘。

先執(zhí)行128KB順序?qū)懭霚y(cè)試，通過(guò)測(cè)試曲線可知，三星990 EVO Plus 2TB一開始連續(xù)寫入速度在5600--5700MBps，40秒后SLC緩存用盡，因此空盤時(shí)Turbo Cache實(shí)為226GB左右。

緩存用盡后TLC穩(wěn)態(tài)直寫速度在1200--1400MBps。24分鐘后主控完成GC回收寫入速度開始提升，從曲線看像麻花一樣在1900--2200MBps之間波動(dòng)。但日常使用中很少有單次寫入200GB以上數(shù)據(jù)的情況，因此實(shí)際使用中都是全速運(yùn)行的，體驗(yàn)非常流暢。

發(fā)熱量測(cè)試，我們使用IOmeter測(cè)試128KB順序?qū)懭?，讓三?90 EVO Plus滿載運(yùn)行，測(cè)試時(shí)間時(shí)間20分鐘，并記錄每分鐘的溫度變化。

從溫度圖表可知其最高溫度僅有76℃，不僅比990 EVO要低，通過(guò)IOmeter的測(cè)試圖形還可以看到動(dòng)態(tài)散熱保護(hù)機(jī)制（DTG）并沒(méi)有介入，可見990EVO Plus的溫度控制十分優(yōu)秀，應(yīng)用于筆記本的升級(jí)擴(kuò)容也不用擔(dān)心會(huì)出現(xiàn)過(guò)熱的情況。

應(yīng)用模擬測(cè)試

應(yīng)用模擬，是通過(guò)專用的測(cè)試軟件模擬出不同的應(yīng)用場(chǎng)景，來(lái)表征固態(tài)硬盤的綜合性能。需要注意的是，測(cè)試項(xiàng)目中的PCMARK10和3DMARK在不同的硬件平臺(tái)（尤其是CPU）跑分存在很大差異，故成績(jī)僅供參考。

首先是PCMARK10的完整系統(tǒng)盤測(cè)試，該項(xiàng)目將三星990 EVO Plus模擬成系統(tǒng)盤來(lái)測(cè)試真實(shí)環(huán)境下的表現(xiàn)。經(jīng)實(shí)測(cè)三星990 EVO Plus 2TB的得分4267分，帶寬為677.32MB/s，平均存取時(shí)間為39μs。

接下來(lái)是3DMARK存儲(chǔ)DLC測(cè)試，該項(xiàng)目通過(guò)對(duì)三款游戲的載入、保存、安裝與錄制來(lái)評(píng)估固態(tài)硬盤的游戲性能。最終三星990 EVO Plus 2TB的存儲(chǔ)基準(zhǔn)測(cè)試得分為4284分，平均帶寬為735.29MB/s，平均存取時(shí)間為42μs。

最后是FF XIV EndWalker Benchmark游戲加載模擬測(cè)試，這款DEMO能記錄所有測(cè)試場(chǎng)景的載入時(shí)間，經(jīng)測(cè)試三星990 EVO Plus 2TB全部的轉(zhuǎn)場(chǎng)載入時(shí)間僅為7.236秒，和配備獨(dú)立DRAM緩存的產(chǎn)品基本相近，游戲性能表現(xiàn)也是不錯(cuò)的。

專屬軟件上手簡(jiǎn)單

為了三星品牌所有存儲(chǔ)產(chǎn)品的集中監(jiān)控和管理，三星存儲(chǔ)推出了專用管理軟件SAMSUNG Magician（三星魔術(shù)師），支持固態(tài)硬盤、移動(dòng)固態(tài)硬盤、U盤和存儲(chǔ)卡等全線存儲(chǔ)產(chǎn)品。

在Driver Dashboard中的“狀態(tài)”選項(xiàng)卡，可顯示三星990 EVO Plus的已寫入的總?cè)萘?、?dāng)前磁盤的剩余空間、工作溫度的變化和測(cè)速結(jié)果等。

為了讓用戶輕松了解存儲(chǔ)產(chǎn)品的性能，三星魔術(shù)師內(nèi)建了測(cè)速功能，在Performance Benchmark即可測(cè)試，普通用戶無(wú)需專業(yè)軟件也可自行測(cè)試三星990 EVO Plus的性能。

三星魔術(shù)師還為三星990 EVO Plus設(shè)置了四檔位性能模式，在Performance Optimization可看到Full Performance mode（全性能模式）、StandardMode（標(biāo)準(zhǔn)模式）、Power Saving Mode（節(jié)能模式）和Custom Mode（自定義模式），用戶可根據(jù)使用的設(shè)備和應(yīng)用場(chǎng)景自由設(shè)定。

開啟Full PowerMode可關(guān)閉固態(tài)硬盤的睡眠和空閑狀態(tài)，時(shí)刻保持性能巔峰，開啟TRIM則可以刪除數(shù)據(jù)塊中不再使用的數(shù)據(jù)，讓固態(tài)硬盤運(yùn)行更加高效。

寫在最后

現(xiàn)在的NVMe固態(tài)硬盤正處于從PCIe4.0向PCIe5.0過(guò)渡的時(shí)期，三星990 EVO Plus不僅支持滿血PCIe4.0，還兼容PCIe5.0。

最令人驚喜的是，它不僅在性能上能與配備獨(dú)立緩存的產(chǎn)品相媲美，還實(shí)現(xiàn)了更低功耗和發(fā)熱量，進(jìn)一步提升整體效能，可謂物超所值，成為高性能游戲和AI任務(wù)的優(yōu)質(zhì)解決方案。

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